JTD JTDBC857BW
Артикул: C49308267
Part Number: JTDBC857BW
Производитель: JTD
от 0.004900 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 100 шт. | 0.008600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.007100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.006200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.005700 ₽ |
| 51000 шт. | 0.005200 ₽ |
| 99000 шт. | 0.004900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 65V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 220 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.1V |
| Ток отсечки коллектора | 15nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Конфигурация | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 100MHz |
Описание
65V 220 100mA 1 PNP PNP SOT-323 одиночные биполярные транзисторы