HXY MOSFET NCS21802DMR2G-HXY

HXY MOSFET NCS21802DMR2G-HXY

Артикул: C49307755 Part Number: NCS21802DMR2G-HXY Производитель: HXY MOSFET
от 0.358600 ₽ В наличии: 77 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.682300 ₽
10 шт. 0.550600 ₽
30 шт. 0.483900 ₽
100 шт. 0.417300 ₽
500 шт. 0.377600 ₽
1000 шт. 0.358600 ₽

Datasheet

Характеристики

Особенности Zero drift / auto-zero;Built-in compensation;EMI filtering/RF suppression;ESD protection
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 130dB
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания 1.5MHz
Однополярное питание 1.8V~5.5V
Входной ток смещения Ib 70pA
Диапазон от шины до шины питания (Rail-to-Rail) Rail-to-Rail Input, Rail-to-Rail Output
Двухполярное питание -2.75V~-1V;1V~2.75V
Выходной ток 40mA
Входное напряжение смещения Vos 2uV
Скорость нарастания выходного напряжения 1.2V/us
Дрейф входного напряжения смещения (Vos TC) 5nV/℃
Ток покоя 125uA
Рабочая температура -40℃~+125℃
Разность входных токов (Ios) 100pA
Спектральная плотность входного шумового напряжения 19nV/√Hz@1kHz

Описание

40mA 2uV 1.2V/us 70pA 130dB 125uA 1.5MHz вход и выход от шины до шины питания MSOP-8 измерительные, операционные и буферные усилители RoHS