SCILICON SKQ150N65EH7I
Артикул: C49257179
Part Number: SKQ150N65EH7I
Производитель: SCILICON
от 12.293300 ₽
В наличии: 180 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.420700 ₽ |
| 10 шт. | 14.992800 ₽ |
| 30 шт. | 12.511400 ₽ |
| 90 шт. | 12.293300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 621W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 160A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V@150A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 301nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.9V@1.32mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 8.128nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 236pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 32.8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 45ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 341ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 5.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 84ns |
Описание
621W 160A 650V TO-247PLUS-3L одиночные IGBT-транзисторы