SCILICON SKG150N65EH7I
Артикул: C49257178
Part Number: SKG150N65EH7I
Производитель: SCILICON
от 8.111100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 21.396400 ₽ |
| 210 шт. | 8.538300 ₽ |
| 510 шт. | 8.252500 ₽ |
| 990 шт. | 8.111100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 621W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 160A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 300nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.85V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.908nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 240.1pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 33.3pF |
| Время задержки включения Td(on) | 44ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 343ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 65ns |
Описание
621W 160A 650V TO-247PLUS-4L одиночные IGBT-транзисторы