SCILICON SFB096N200C3
Артикул: C49257174
Part Number: SFB096N200C3
Производитель: SCILICON
от 2.087000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.503200 ₽ |
| 200 шт. | 2.196100 ₽ |
| 500 шт. | 2.122300 ₽ |
| 1000 шт. | 2.087000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 135A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 195nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.338nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 425pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
375W 200V 135A 2.9V 8.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)