HXY MOSFET C2M0280120D-HXY
Артикул: C49256951
Part Number: C2M0280120D-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.381100 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.798700 ₽ |
| 10 шт. | 3.253500 ₽ |
| 30 шт. | 2.929600 ₽ |
| 90 шт. | 2.600800 ₽ |
| 510 шт. | 2.449500 ₽ |
| 990 шт. | 2.381100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 450mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 23.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 324pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 24pF |
Описание
1.2kV 7.6A 4V 60W 450mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)