R+O HB04N150S
Артикул: C49256776
Part Number: HB04N150S
Производитель: R+O
от 0.077900 ₽
В наличии: 6395 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.107000 ₽ |
| 50 шт. | 0.094500 ₽ |
| 150 шт. | 0.088200 ₽ |
| 500 шт. | 0.083500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.079700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.077900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 14mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.013nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 96pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 109pF |
Описание
40V 40A 1.5V 35W 14mΩ@10V 1 N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS