R+O HB02N080S
Артикул: C49256774
Part Number: HB02N080S
Производитель: R+O
от 0.098200 ₽
В наличии: 3755 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.154000 ₽ |
| 50 шт. | 0.130000 ₽ |
| 150 шт. | 0.118000 ₽ |
| 500 шт. | 0.109000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.101900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.098200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.615nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 196pF |
Описание
20V 50A 700mV 32W 8mΩ@4.5V 1 N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS