HXY MOSFET DMG4800LSDQ-13-HXY
Артикул: C49256432
Part Number: DMG4800LSDQ-13-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.187000 ₽
В наличии: 135 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.350600 ₽ |
| 50 шт. | 0.280800 ₽ |
| 150 шт. | 0.250900 ₽ |
| 500 шт. | 0.213600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.197000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.187000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 12mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 910pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 100pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 160pF |
Описание
30V 10A 2.5V 2W 12mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)