HTCSEMI HT65N16EVDRZ
Артикул: C49253842
Part Number: HT65N16EVDRZ
Производитель: HTCSEMI
от 0.285200 ₽
В наличии: 1230 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.545800 ₽ |
| 10 шт. | 0.439300 ₽ |
| 30 шт. | 0.386800 ₽ |
| 100 шт. | 0.334400 ₽ |
| 500 шт. | 0.301600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.285200 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9.2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.2Ω |
| Заряд затвора (Qg) | 1.26nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 91pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.21pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 15pF |
Описание
650V 9.2A 1.2V 34W 0.2Ω 1 N-канальный N-канальный PDFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)