VBsemi Elec SIJA52DP-T1-GE3-VB
Артикул: C49253784
Part Number: SIJA52DP-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.860800 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.474300 ₽ |
| 10 шт. | 1.235100 ₽ |
| 30 шт. | 1.104900 ₽ |
| 100 шт. | 0.956800 ₽ |
| 500 шт. | 0.890100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.860800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 150A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.7mΩ@10V;0.8mΩ@7.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 80nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 450pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.65nF |
Описание
40V 150A 4V 375W 1 N-канальный N-канальный LFPAK56 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)