SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим

SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим

Артикул: C49241789 Part Number: 2SK3747-1E-HXY Производитель: HXY MOSFET
от 0.922700 ₽ В наличии: 30 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.584800 ₽
10 шт. 1.339000 ₽
30 шт. 1.183300 ₽
90 шт. 1.025900 ₽
510 шт. 0.953800 ₽
990 шт. 0.922700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.5kV
Непрерывный ток стока (Id) 3.7A
Рассеиваемая мощность (Pd) 35W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 1.5Ω
Заряд затвора (Qg) 14nC
Входная ёмкость (Ciss) 184pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 6pF
Выходная ёмкость (Coss) 16pF

Описание

1.5kV 3.7A 35W монтаж в отверстия TO-3PF