SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C49241786
Part Number: STFW4N150-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.883400 ₽
В наличии: 150 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.560200 ₽ |
| 10 шт. | 1.296300 ₽ |
| 30 шт. | 1.152100 ₽ |
| 90 шт. | 0.989900 ₽ |
| 510 шт. | 0.916100 ₽ |
| 990 шт. | 0.883400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.5kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.5Ω |
| Заряд затвора (Qg) | 14nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 184pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 16pF |
Описание
1.5kV 3.7A 4V 35W 1.5Ω 1 N-канальный N-канальный TO-3PF одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS