40V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C49206926
Part Number: SCSD18511Q5A
Производитель: JSMSEMI
от 0.529600 ₽
В наличии: 476 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.710400 ₽ |
| 10 шт. | 0.637100 ₽ |
| 30 шт. | 0.599600 ₽ |
| 100 шт. | 0.563800 ₽ |
| 500 шт. | 0.541000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.529600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 205A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 157W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 46nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 75pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.6nF |
Описание
40V 205A 1.7V 157W 1.5mΩ@10V 1 N-канальный PDFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS