HXY MOSFET HINN700TK190B
Артикул: C49206785
Part Number: HINN700TK190B
Производитель: HXY MOSFET
от 0.460600 ₽
В наличии: 2450 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.880100 ₽ |
| 10 шт. | 0.708000 ₽ |
| 30 шт. | 0.622800 ₽ |
| 100 шт. | 0.537600 ₽ |
| 500 шт. | 0.486800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.460600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 725V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 73W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 2.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 83pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 27pF |
Описание
725V 10A 1.6V 73W 160mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)