120V защитный чехол, 4A пиковый, полумостовой драйвер с низкий импульсный потери

120V защитный чехол, 4A пиковый, полумостовой драйвер с низкий импульсный потери

Артикул: C49073985 Part Number: GBI7A56NMAR Производитель: GOSEMICON
от 0.559800 ₽ В наличии: 609 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.026400 ₽
10 шт. 0.845300 ₽
30 шт. 0.745800 ₽
100 шт. 0.633200 ₽
500 шт. 0.582600 ₽
1000 шт. 0.559800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 24ns
Время задержки низкого уровня 28ns
Время спада 5ns
Время нарастания 7ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 4A
Напряжение питания 8V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 4A
Особенности Built-in bootstrap diode
Ток покоя 240uA
Входной логический уровень — низкий 900mV~1.3V
Входной логический уровень — высокий 1.9V~2.4V

Описание

4A 8V~20V 4A DFN-8L(4x4) драйверы затворов