20V двойной N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C49014307
Part Number: FDS9926A
Производитель: JSMSEMI
от 0.046900 ₽
В наличии: 4260 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.066000 ₽ |
| 50 шт. | 0.057800 ₽ |
| 150 шт. | 0.053700 ₽ |
| 500 шт. | 0.050600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.048200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.046900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@4.5V;30mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 850pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 112pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 142pF |
Описание
20V 6A 700mV 1.5W 2 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS