TO-252 дарлингтона транзистор средний мощность линейный импульсный применения
Артикул: C49006718
Part Number: MJD122T4G-CN
Производитель: ChipNobo
от 0.078900 ₽
В наличии: 435 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.156100 ₽ |
| 50 шт. | 0.123200 ₽ |
| 150 шт. | 0.109100 ₽ |
| 500 шт. | 0.091500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.083600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.078900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Ток коллектора (Ic) | 4A |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@3A,12mA |
| Ток отсечки коллектора | 200uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.5V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 1000 4A NPN TO-252 одиночные биполярные транзисторы