HXY MOSFET IXXX200N65B4-HXY
Артикул: C49003480
Part Number: IXXX200N65B4-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 14.244800 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 17.290100 ₽ |
| 10 шт. | 16.572600 ₽ |
| 30 шт. | 15.329100 ₽ |
| 90 шт. | 14.244800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 240A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V@160A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 330nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.2V@0.25mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 10.203nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 480pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 70pF |
| Время задержки включения Td(on) | 94ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 379ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.37mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 9.81mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 190ns |
Описание
1kW 240A 650V TO-247P одиночные IGBT-транзисторы