HXY MOSFET IXYX120N120C3-HXY
Артикул: C49003477
Part Number: IXYX120N120C3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 28.550600 ₽
В наличии: 18 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 29.396500 ₽ |
| 30 шт. | 28.550600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.091kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 240A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V@140A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 473nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.17V@2.24mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 16.191nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 407pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 59.4pF |
| Время задержки включения Td(on) | 183ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 359ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 11.9mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 8.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 137ns |
Описание
1.091kW 240A 1.2kV TO-247P одиночные IGBT-транзисторы