IGBT 650V 70A TO-247
Артикул: C49003447
Part Number: NGTG35N65FL2WG-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.865300 ₽
В наличии: 16 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.982100 ₽ |
| 10 шт. | 2.564900 ₽ |
| 30 шт. | 2.305200 ₽ |
| 90 шт. | 2.039000 ₽ |
| 510 шт. | 1.917200 ₽ |
| 990 шт. | 1.865300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 70A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 40uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 57nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.52nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 110pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 26ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 136ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 900uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 430uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 56ns |
Описание
IGBT 650V 70A монтаж в отверстия TO-247