HXY MOSFET SPT40N120F1AT8TL-HXY
Артикул: C49003423
Part Number: SPT40N120F1AT8TL-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 3.725600 ₽
В наличии: 9 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.647600 ₽ |
| 10 шт. | 4.907400 ₽ |
| 30 шт. | 4.469100 ₽ |
| 90 шт. | 4.024300 ₽ |
| 510 шт. | 3.818100 ₽ |
| 990 шт. | 3.725600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 417W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 170nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@0.25mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.047nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 161pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 35pF |
| Время задержки включения Td(on) | 48ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 195ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.65mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 375ns |
Описание
417W 80A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы