HXY MOSFET FGH60N60SFDTU-HXY
Артикул: C49003411
Part Number: FGH60N60SFDTU-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 7.325500 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.153200 ₽ |
| 10 шт. | 8.290500 ₽ |
| 30 шт. | 7.765800 ₽ |
| 90 шт. | 7.325500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 183nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.356nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 179pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 93pF |
| Время задержки включения Td(on) | 24ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 124ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 136ns |
Описание
250W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы