HXY MOSFET NGTB30N135IHRWG-HXY
Артикул: C49003400
Part Number: NGTB30N135IHRWG-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.303700 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.630100 ₽ |
| 10 шт. | 3.119200 ₽ |
| 30 шт. | 2.816200 ₽ |
| 90 шт. | 2.510000 ₽ |
| 510 шт. | 2.368800 ₽ |
| 990 шт. | 2.303700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.35kV |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.25V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 51pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 18pF |
| Время задержки включения Td(on) | 51ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 190ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 330ns |
Описание
250W 60A 1.35kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы