HXY MOSFET IXYR50N120C3D1-HXY
Артикул: C49003395
Part Number: IXYR50N120C3D1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 14.330900 ₽
В наличии: 25 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 17.908300 ₽ |
| 10 шт. | 16.220300 ₽ |
| 30 шт. | 15.193500 ₽ |
| 90 шт. | 14.330900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 600W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 200nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.42nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 195pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 42pF |
| Время задержки включения Td(on) | 55ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 216ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.65mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 380ns |
Описание
600W 100A 1.2kV TO-247P одиночные IGBT-транзисторы