HXY MOSFET AOK50B65M2
Артикул: C49003325
Part Number: AOK50B65M2
Производитель: HXY MOSFET
от 1.312600 ₽
В наличии: 11 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.181500 ₽ |
| 10 шт. | 1.857600 ₽ |
| 30 шт. | 1.654900 ₽ |
| 90 шт. | 1.447700 ₽ |
| 510 шт. | 1.354100 ₽ |
| 990 шт. | 1.312600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.95V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 179nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.363nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 206pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 92pF |
| Время задержки включения Td(on) | 24ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 122ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.38mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.14mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 98ns |
Описание
300W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы