HXY MOSFET STGWA100H65DFB2-HXY
Артикул: C49003309
Part Number: STGWA100H65DFB2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 4.424800 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.029200 ₽ |
| 10 шт. | 5.272100 ₽ |
| 30 шт. | 4.811600 ₽ |
| 90 шт. | 4.424800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 429W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V@100A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 156nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@0.88mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.452nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 223pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 26pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 195ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.65mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 123ns |
Описание
429W 150A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы