Изолированный затвор биполярный транзистор
Артикул: C49003308
Part Number: FGH50T65SQD-F155-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.410700 ₽
В наличии: 14 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.654200 ₽ |
| 10 шт. | 3.175300 ₽ |
| 30 шт. | 2.891200 ₽ |
| 90 шт. | 2.603900 ₽ |
| 510 шт. | 2.470800 ₽ |
| 990 шт. | 2.410700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.916nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 139pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 13pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 110ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.35mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 510uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 56ns |
Описание
250W 80A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS