HXY MOSFET IKW40N120CS6-HXY
Артикул: C49003307
Part Number: IKW40N120CS6-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.966600 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.108900 ₽ |
| 10 шт. | 2.669700 ₽ |
| 30 шт. | 2.407500 ₽ |
| 90 шт. | 2.143600 ₽ |
| 510 шт. | 2.022300 ₽ |
| 990 шт. | 1.966600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 441W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.05V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 346nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.98nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 157pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 93pF |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 262ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 94ns |
Описание
441W 80A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы