SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C48972199
Part Number: UJ3C120080K3S-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 8.534800 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.037700 ₽ |
| 10 шт. | 10.385900 ₽ |
| 30 шт. | 9.378600 ₽ |
| 90 шт. | 8.534800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 36A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 192W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 98mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.13nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 92pF |
Описание
1.2kV 36A 4V 192W 98mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS