SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C48972196
Part Number: DMWS120H100SM4-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 10.112200 ₽
В наличии: 14 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.559900 ₽ |
| 10 шт. | 11.983900 ₽ |
| 30 шт. | 10.983600 ₽ |
| 90 шт. | 10.112200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 32A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 136W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 90mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 53nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.39nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 58pF |
Описание
1.2kV 32A 3.6V 136W 90mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS