SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C48972191
Part Number: MSC750SMA170SA-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 3.125300 ₽
В наличии: 28 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.950900 ₽ |
| 10 шт. | 4.247800 ₽ |
| 30 шт. | 3.829900 ₽ |
| 100 шт. | 3.407100 ₽ |
| 500 шт. | 3.213800 ₽ |
| 800 шт. | 3.125300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.7kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 86W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 910mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 16.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 285pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 15.3pF |
Описание
1.7kV 6.7A 4.5V 86W 910mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS