SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C48972082
Part Number: NTH4LN067N65S3H-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.553700 ₽
В наличии: 26 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.044000 ₽ |
| 10 шт. | 3.470200 ₽ |
| 30 шт. | 3.129000 ₽ |
| 90 шт. | 2.784700 ₽ |
| 510 шт. | 2.625600 ₽ |
| 990 шт. | 2.553700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 37A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 79mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 46nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.02nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 80pF |
Описание
650V 37A 3.6V 150W 79mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS