SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C48972079
Part Number: STY139N65M5-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 8.852000 ₽
В наличии: 32 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.618800 ₽ |
| 10 шт. | 10.841800 ₽ |
| 30 шт. | 9.759300 ₽ |
| 90 шт. | 8.852000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 21mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 188nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.011nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 31pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 289pF |
Описание
650V 120A 416W монтаж в отверстия TO-247