onsemi NSB1706DMW5T1G
Артикул: C489585
Part Number: NSB1706DMW5T1G
Производитель: onsemi
от 0.049800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.093000 ₽ |
| 100 шт. | 0.074400 ₽ |
| 300 шт. | 0.065100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.058200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.052600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.049800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.055 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 187mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-353 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS