Infineon GS66502BMRXUSA1
Артикул: C48939561
Part Number: GS66502BMRXUSA1
Производитель: Infineon
от 12.143600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 14.982000 ₽ |
| 10 шт. | 14.313400 ₽ |
| 30 шт. | 13.154800 ₽ |
| 100 шт. | 12.143600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 200mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 1.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 17pF |
Описание
650V 7.5A 1.7V 200mΩ 1 N-канальный N-канальный поверхностный монтаж (SMD) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)