HXY MOSFET 3DD13003
Артикул: C48913149
Part Number: 3DD13003
Производитель: HXY MOSFET
от 0.056300 ₽
В наличии: 2345 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.106800 ₽ |
| 50 шт. | 0.085100 ₽ |
| 150 шт. | 0.074200 ₽ |
| 500 шт. | 0.066000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.059500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.056300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 500V |
| Ток коллектора (Ic) | 1.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 500mV |
| Ток отсечки коллектора | 500uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 9V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 5MHz |
Описание
500V 30 1.5A 1 NPN NPN TO-252-2L одиночные биполярные транзисторы