30V/50A N-канальный усовершенствованный мощность MOSFET

30V/50A N-канальный усовершенствованный мощность MOSFET

Артикул: C48782982 Part Number: PTD3004 Производитель: HT(Shenzhen Jinyu Semicon)
от 0.072800 ₽ В наличии: 1615 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.118100 ₽
50 шт. 0.098600 ₽
150 шт. 0.088900 ₽
500 шт. 0.081600 ₽
2500 шт. 0.075700 ₽
5000 шт. 0.072800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 50A
Рассеиваемая мощность (Pd) 32W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.8V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 7.5mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 20nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 1.07nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 135pF
Выходная ёмкость (Coss) 158pF

Описание

30V 50A 1.8V 32W 7.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)