650V GaN обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C48586481
Part Number: CID22N65
Производитель: Tokmas
от 2.679500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.342900 ₽ |
| 10 шт. | 3.684100 ₽ |
| 50 шт. | 3.341600 ₽ |
| 100 шт. | 2.945000 ₽ |
| 500 шт. | 2.763100 ₽ |
| 900 шт. | 2.679500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 22A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 297W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 70mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.13pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 71pF |
Описание
650V 22A 1.7V 297W 70mΩ 1 N-канальный N-канальный TOLT-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS