GaN обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C48586467
Part Number: CID120N65MD
Производитель: Tokmas
от 7.431400 ₽
В наличии: 466 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.480600 ₽ |
| 10 шт. | 9.043300 ₽ |
| 30 шт. | 8.165600 ₽ |
| 100 шт. | 7.431400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 278W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 14.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 500pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.94pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 129pF |
Описание
650V 60A 1.7V 278W 25mΩ 1 N-канальный N-канальный TOLL-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS