VISHAY SI8457DB-T1-E1
Артикул: C485581
Part Number: SI8457DB-T1-E1
Производитель: VISHAY
от 0.090600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.181600 ₽ |
| 10 шт. | 0.143600 ₽ |
| 30 шт. | 0.127300 ₽ |
| 100 шт. | 0.107000 ₽ |
| 500 шт. | 0.097900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.092500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.091300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.090600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 19mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.9nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 620pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 715pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
1.1W 12V 10.2A 400mV 19mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный MicroFoot-4(1.6x1.6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS