Hangzhou Silan Microelectronics SVSP14N65FJHE2
Артикул: C48392968
Part Number: SVSP14N65FJHE2
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.211400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.555500 ₽ |
| 200 шт. | 0.221900 ₽ |
| 500 шт. | 0.214400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.211400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 14A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 39W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 260mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 768pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 46pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 14A 4V 39W 260mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220FJH-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)