Кремний PNP дарлингтона мощность транзистор

Кремний PNP дарлингтона мощность транзистор

Артикул: C480236 Part Number: MJ11033 Производитель: SPTECH
от 5.036100 ₽ В наличии: 26 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.778200 ₽
10 шт. 5.955500 ₽
25 шт. 5.455600 ₽
100 шт. 5.036100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Рассеиваемая мощность (Pd) 300W
Ток коллектора (Ic) 50A
Рабочая температура -55℃~+200℃
Коэффициент усиления по постоянному току 1000;400
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3.5V
Ток отсечки коллектора 2A
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 4.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

120V 50A PNP TO-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS