Кремний NPN дарлингтона мощность транзистор

Кремний NPN дарлингтона мощность транзистор

Артикул: C480234 Part Number: MJ11032 Производитель: SPTECH
от 4.864000 ₽ В наличии: 17 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.547100 ₽
10 шт. 5.753900 ₽
25 шт. 5.268800 ₽
100 шт. 4.864000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Рассеиваемая мощность (Pd) 300W
Ток коллектора (Ic) 50A
Рабочая температура -55℃~+200℃
Коэффициент усиления по постоянному току 18000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3.5V
Ток отсечки коллектора 5mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 4.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

120V 18000 50A NPN TO-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS