Кремний NPN дарлингтона мощность транзистор

Кремний NPN дарлингтона мощность транзистор

Артикул: C480233 Part Number: MJ11016 Производитель: SPTECH
от 2.417300 ₽ В наличии: 22 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.131500 ₽
10 шт. 3.669300 ₽
25 шт. 2.879400 ₽
100 шт. 2.602500 ₽
500 шт. 2.474600 ₽
1000 шт. 2.417300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Ток коллектора (Ic) 30A
Рассеиваемая мощность (Pd) 200W
Рабочая температура -55℃~+200℃
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 4V
Ток отсечки коллектора 5mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

120V 1000 30A NPN TO-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS