Кремний PNP дарлингтона мощность транзистор

Кремний PNP дарлингтона мощность транзистор

Артикул: C480192 Part Number: TIP147P Производитель: SPTECH
от 0.907200 ₽ В наличии: 30 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.499400 ₽
10 шт. 1.291000 ₽
30 шт. 1.104000 ₽
90 шт. 1.000700 ₽
510 шт. 0.940000 ₽
990 шт. 0.907200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 10A
Рассеиваемая мощность (Pd) 125W
Рабочая температура -65℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3V
Ток отсечки коллектора 1mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 3.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 3V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 10A PNP TO-3PN одиночные биполярные транзисторы RoHS