Полумостовой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Полумостовой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C47967293 Part Number: IR2110S-MNS Производитель: Minos
от 0.393200 ₽ В наличии: 1119 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.753900 ₽
10 шт. 0.606000 ₽
30 шт. 0.532900 ₽
100 шт. 0.459800 ₽
500 шт. 0.415900 ₽
1000 шт. 0.393200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 130ns
Время задержки низкого уровня 130ns
Время спада 17ns
Время нарастания 25ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 4A
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 4A
Особенности Enable shutdown
Ток покоя 40uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOIC-16-300mil