onsemi FGA15N120ANTDTU F109
Артикул: C476158
Part Number: FGA15N120ANTDTU F109
Производитель: onsemi
от 2.992600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.103800 ₽ |
| 10 шт. | 3.689600 ₽ |
| 50 шт. | 3.429600 ₽ |
| 100 шт. | 3.164800 ₽ |
| 500 шт. | 3.044600 ₽ |
| 1200 шт. | 2.992600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 186W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 15A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.65nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 143pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 96pF |
| Время задержки включения Td(on) | 15ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 210ns |
Описание
186W 15A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) TO-3P-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS