NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор
Артикул: C475671
Part Number: DTC114EE
Производитель: Shikues
от 0.012800 ₽
В наличии: 750 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.023400 ₽ |
| 500 шт. | 0.019300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.016000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.014700 ₽ |
| 24000 шт. | 0.013500 ₽ |
| 51000 шт. | 0.012800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,500uA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
Описание
50V 30 100mA 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-523 одиночные биполярные транзисторы RoHS