Транзистор NPN+PNP 40V 200mA SOT-363

Транзистор NPN+PNP 40V 200mA SOT-363

Артикул: C47506905 Part Number: MMDT4146-7-F-HXY Производитель: HXY MOSFET
от 0.052400 ₽ В наличии: 80 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.095700 ₽
50 шт. 0.077100 ₽
150 шт. 0.067800 ₽
500 шт. 0.060800 ₽
3000 шт. 0.055200 ₽
6000 шт. 0.052400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN + 1 PNP
Тип NPN+PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 40V
Ток коллектора (Ic) 200mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 300
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 200mV;300mV;250mV;400mV
Ток отсечки коллектора 50nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Конфигурация Standalone
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 300MHz

Описание

Биполярные транзисторы (BJT) транзистор NPN+PNP 40V 200mA 300MHz 200mW поверхностный монтаж SOT-363